閃存物理層的測(cè)試方法及閃存設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111672874.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114333960A 公開（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114333960A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) G11C29/12（2006.01）I;G11C29/14（2006.01）I;G11C29/44（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 陸震熙;黃運(yùn)新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳大普微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市六加知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳金賞
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)騰飛路9號(hào)創(chuàng)投大廈3501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，公開了一種閃存物理層的測(cè)試方法及閃存設(shè)備，該方法包括：將閃存控制器的閃存物理層與模擬顆粒的閃存物理層對(duì)接；由閃存控制器的閃存物理層向模擬顆粒的閃存物理層執(zhí)行讀操作，以使閃存控制器的閃存物理層獲取模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)；若閃存控制器的閃存物理層獲取的數(shù)據(jù)與模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)一致，則確定閃存控制器的閃存物理層的功能正常。通過設(shè)置一個(gè)模擬顆粒，將模擬顆粒的閃存物理層與閃存控制器的閃存物理層對(duì)接，若閃存控制器的閃存物理層獲取的數(shù)據(jù)與模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)一致，則確定閃存控制器的閃存物理層的功能正常，本申請(qǐng)能夠提高對(duì)閃存物理層的測(cè)試能力。