一種高分離選擇性純硅沸石復合膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910156178.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109745871B 公開（公告）日 2020-03-10
申請公布號 CN109745871B 申請公布日 2020-03-10
分類號 B01D71/02;B01D69/12;B01D67/00;B01D53/22;B01D17/022 分類 一般的物理或化學的方法或裝置;
發(fā)明人 肖偉;彭輝 申請（專利權）人 江蘇賽清科技有限公司
代理機構 北京華仁聯(lián)合知識產權代理有限公司 代理人 江蘇賽清科技有限公司;浙江賽時科技有限責任公司
地址 210043 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達路9號A座1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高分離選擇性純硅沸石復合膜，該純硅沸石復合膜包括多孔載體層和沸石分離層兩部分，其中多孔載體層為多孔載體，沸石分離層由亞微米級沸石粒子組成，且沿著大孔載體的粗糙、凹凸表面緊密排列，同時，載體層與分離層結構緊湊，沸石復合膜整體無缺陷，顯示出良好的氣體混合物或液體混合物分離選擇性能。