半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110794375.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113540092A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113540092A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余興;華文宇;劉藩東 申請（專利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)隆興路118號內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一襯底，第一襯底包括沿第一方向間隔排列的若干第一有源區(qū)組和若干第二有源區(qū)組，第一有源區(qū)組包括若干第一有源區(qū)，第二有源區(qū)組包括若干第二有源區(qū)，第一投影和第二投影是形狀相同的矩形；位于若干第一有源區(qū)和若干第二有源區(qū)之間的第一隔離層；相互獨立的若干字線柵結(jié)構(gòu)，字線柵結(jié)構(gòu)位于第一襯底和第一隔離層內(nèi)；若干位線結(jié)構(gòu)，每個位線結(jié)構(gòu)位于1個第一有源區(qū)組或1個第二有源區(qū)組上；若干電容結(jié)構(gòu)，電容結(jié)構(gòu)和位線結(jié)構(gòu)分別位于第一襯底相對的兩個表面上。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠改善動態(tài)隨機存取存儲器的性能，降低形成動態(tài)隨機存取存儲器的工藝難度。