半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110774725.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517292A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517292A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類(lèi)號(hào) H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉藩東;華文宇;駱中偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)隆興路118號(hào)內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：自所述第二面對(duì)所述襯底進(jìn)行減薄處理，直到暴露出所述第一隔離層表面；形成所述各有源區(qū)內(nèi)的第二隔離層，所述第二隔離層在所述襯底表面的投影位于相鄰的所述字線(xiàn)柵極結(jié)構(gòu)在所述襯底表面的投影之間；在所述第一面上形成若干位線(xiàn)，在所述減薄處理后的所述第二面上形成若干電容，所述位線(xiàn)平行于所述第二方向，且每條位線(xiàn)與若干所述有源區(qū)電連接，每個(gè)所述有源區(qū)與兩個(gè)電容電連接；或者，在所述減薄厚的第二面上形成若干位線(xiàn)，在所述第一面上形成若干電容，所述位線(xiàn)平行于所述第二方向，且每條位線(xiàn)與若干所述有源區(qū)電連接，每個(gè)所述有源區(qū)與兩個(gè)電容電連接，簡(jiǎn)化了工藝的難度，提高了芯片的集成化水平。