T型雙溝道晶體管及制造方法、半導(dǎo)體器件及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110424667.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113506738A 公開（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113506738A 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;王喜龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡亮;張穎玲
地址 314400浙江省嘉興市海寧市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號(hào)天通9號(hào)樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種T型雙溝道晶體管及制造方法、半導(dǎo)體器件及制造方法，所述T型雙溝道晶體管的制造方法包括：提供一晶圓，所述晶圓具有多個(gè)晶體管形成區(qū)域，每一晶體管形成區(qū)域具有一晶體管柱，每一晶體管柱在第一方向上具有相對(duì)裸露的第一臺(tái)階側(cè)壁和第二臺(tái)階側(cè)壁；分別在所述第一臺(tái)階側(cè)壁和所述第二臺(tái)階側(cè)壁上依次形成具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的柵極氧化層和柵極；在所述晶體管柱的第一端，形成源極；在所述晶體管柱的第二端，形成漏極，其中，第一端和第二端分別為晶體管柱在第二方向上相對(duì)的兩端，第二方向?yàn)樗鼍A的厚度方向，第二方向垂直于第一方向；所述源極和所述漏極之間的晶體管柱構(gòu)成所述T型雙溝道晶體管的雙溝道區(qū)。