L型晶體管及其制造方法、半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110421932.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113506736A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113506736A 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;王喜龍 申請（專利權）人 芯盟科技有限公司
代理機構 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 胡亮;張穎玲
地址 314400浙江省嘉興市海寧市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號天通9號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供一種L型晶體管及其制造方法、半導體器件及其制造方法，其中，所述L型晶體管的制造方法包括：提供一晶圓，所述晶圓具有多個晶體管形成區(qū)域，每一所述晶體管形成區(qū)域具有一晶體管柱，每一所述晶體管柱具有一裸露的L型面；在每一晶體管柱的所述L型面上依次形成柵極氧化層和柵極；在所述晶體管柱的第一端，形成源極；在所述晶體管柱的第二端，形成漏極，其中，所述第一端和所述第二端分別為所述晶體管柱在第一方向上相對的兩端，所述第一端和所述第二端在第二方向上的尺寸不同；第一方向為晶圓的厚度方向，第二方向垂直于第一方向；所述源極與所述漏極之間的晶體管柱構成所述晶體管的溝道區(qū)。