晶體管的制造方法、晶體管、基本存儲(chǔ)單元、以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110411355.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517345A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517345A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;薛迎飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 314400浙江省嘉興市海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)隆興路118號(hào)內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶體管的制造方法、晶體管、基本存儲(chǔ)單元、以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。所述方法包括如下步驟：形成導(dǎo)電溝道，所述導(dǎo)電溝道包括柱狀本體以及兩側(cè)的端部，所述端部至少有一為突出設(shè)置；形成環(huán)繞所述柱狀本體的柵絕緣層，并暴露所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的端部；形成環(huán)繞所述柵絕緣層的柵電極；在所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的端部形成源電極和漏電極。上述晶體管是從現(xiàn)有技術(shù)的水平方向的晶體管改進(jìn)為垂直方向，從而使得單個(gè)晶體管在水平方向上所占的面積減少，單位面積的晶體管數(shù)量增加，提高了晶體管密度。