半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110800426.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113540094A 公開（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113540094A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;劉藩東;張幟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)隆興路118號(hào)內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：在所述第一凹槽內(nèi)形成字線柵極結(jié)構(gòu)；在所述第一面上形成若干位線，所述位線平行于第三方向，且沿第一方向排布，各條所述位線與若干有源區(qū)電連接；自所述第二面對(duì)所述襯底進(jìn)行減薄處理，直到暴露出所述第一隔離層表面；所述減薄處理后，在所述各有源區(qū)內(nèi)形成若干第二隔離層，所述第二隔離層自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔離層位于相鄰的所述字線柵極結(jié)構(gòu)之間，且所述第二隔離層在沿所述第一方向上貫穿若干有源區(qū)；形成所述第二隔離層后，在所述第二面上形成若干電容，每個(gè)所述有源區(qū)與若干電容電連接，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，單位存儲(chǔ)單元占據(jù)的面積較小，提高了芯片的集成化水平。