晶體管的制造方法、晶體管、基本存儲單元、以及動態(tài)隨機存取存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110410507.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113517343A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517343A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;薛迎飛 申請（專利權(quán)）人 芯盟科技有限公司
代理機構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 314400浙江省嘉興市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)隆興路118號內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶體管的制造方法、晶體管、基本存儲單元、以及動態(tài)隨機存取存儲器。所述方法包括如下步驟：形成貼附于絕緣側(cè)墻的導電溝道，所述導電溝道包括柱狀本體以及兩側(cè)的端部，所述端部至少有一為突出設(shè)置；在所述柱狀本體側(cè)面形成半包圍所述柱狀本體的柵絕緣層，并暴露所述導電溝道兩端；在所述柱狀本體側(cè)面形成覆蓋所述柵絕緣層的柵電極；在所述導電溝道的兩端部形成源電極和漏電極。上述技術(shù)方案是從現(xiàn)有技術(shù)的水平方向的晶體管改進為垂直方向，從而使得單個晶體管在水平方向上所占的面積減少，單位面積的晶體管數(shù)量增加，提高了晶體管密度。