一種砷化鎵的干法蝕刻工藝及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810959093.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109216183A 公開（公告）日 2019-01-15
申請公布號 CN109216183A 申請公布日 2019-01-15
分類號 H01L21/3065;H01L21/308;H01S5/183 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅玉輝;程元紅;鄺智豪;黃逸生 申請（專利權(quán)）人 新亮智能技術(shù)（中山）有限公司
代理機構(gòu) 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深亮智能技術(shù)（中山）有限公司
地址 528400 廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)東鎮(zhèn)東一路32號3幢廠房一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種砷化鎵的干法蝕刻工藝及其應(yīng)用。具體地，所述工藝是在砷化鎵片表面淀積SiO2薄膜層，然后光刻并腐蝕出SiO2掩模層；使用感應(yīng)耦合等離子體蝕刻技術(shù)在SiO2掩模層的掩蔽下對砷化鎵進行蝕刻，蝕刻氣體為是氯氣和三氯化硼。本發(fā)明不產(chǎn)生側(cè)向蝕刻，蝕刻出來的砷化鎵側(cè)壁和底面比較光滑。