基于切割技術(shù)的陶瓷支架圍壩成型方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811093800.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109346593A | 公開(公告)日 | 2019-02-15 |
申請公布號 | CN109346593A | 申請公布日 | 2019-02-15 |
分類號 | H01L33/60;H01S5/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 單春光;鄒冠生 | 申請(專利權(quán))人 | 中山市瑞寶電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 廈門市新華專利商標代理有限公司 | 代理人 | 葉玉鳳;徐勛夫 |
地址 | 528400 廣東省中山市南朗鎮(zhèn)大車工業(yè)區(qū)東椏工業(yè)園B幢3樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種基于切割技術(shù)的陶瓷支架圍壩成型方法,括以下步驟:第1步,對陶瓷板表面將要用于電鍍的相應(yīng)部位進行金屬化處理;第2步,通過電鍍的方式制作獨立線路及環(huán)形鍍銅層;第3步,使環(huán)形鍍銅層通過逐層電鍍加厚增加到所需高度,形成金屬圍壩;第4步,通過切割方法將金屬圍壩的內(nèi)側(cè)面切除一部分,形成內(nèi)側(cè)面平整光滑的立體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明藉由將金屬圍壩粗糙的內(nèi)表面切除,使內(nèi)表面光滑,可以提高表面的光澤度,反光效果更好。除此之外,通過切割的方式將金屬圍壩的一部分去除,可以使圍壩的壁厚變薄,從而增大圍壩內(nèi)部的空間,使得圍壩內(nèi)可以放置更大顆粒晶片,有利于大功率晶片的配置。 |
