一種薄膜生長的實時測溫方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310655561.0 申請日 -
公開（公告）號 CN104697637B 公開（公告）日 2018-12-07
申請公布號 CN104697637B 申請公布日 2018-12-07
分類號 G01J5/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴冬;王林梓;劉健鵬;焦宏達 申請（專利權(quán)）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜生長的實時測溫方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括獲得雙波長測溫結(jié)構(gòu)的薄膜生長反應(yīng)腔的校準系數(shù)；測量實際熱輻射功率，將校準系數(shù)和實際熱輻射功率代入公式，計算得到薄膜生長反應(yīng)腔內(nèi)薄膜的溫度。該方法由于雙波長測溫結(jié)構(gòu)所依附的薄膜生長反應(yīng)腔經(jīng)過校準，計算得到的薄膜的溫度值更接近真值。