自動檢測晶片基底二維形貌的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410693636.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105698706B 公開（公告）日 2018-03-30
申請公布號 CN105698706B 申請公布日 2018-03-30
分類號 G01B11/245 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉健鵬;馬鐵中 申請（專利權(quán)）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種自動檢測晶片基底二維形貌的裝置。該裝置利用其第一運算模塊和第二運算模塊，能夠分別得到晶片基底上任意兩個入射點在待測基底徑向即X方向的曲率CX和晶片基底上任意一個入射點在待測基底移動方向即Y方向的曲率CY，分析模塊根據(jù)各CX、CY的計算結(jié)果，能夠得到晶片基底的二維形貌，因此，能夠自動完成檢測晶片基底二維形貌的動作。并且，該裝置在與N束激光一一對應(yīng)的N個第一分光片和與N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片設(shè)有鍍膜區(qū)域，鍍膜區(qū)域反射和透射的性質(zhì)則根據(jù)各第一種反射光束的傳播方向決定，由于N個第一分光片和N個第二分光片結(jié)構(gòu)簡單，并且，鍍膜精度極高，因此，能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。