一種薄膜生長的自校準(zhǔn)實時測溫裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310654540.7 申請日 -
公開（公告）號 CN104697636B 公開（公告）日 2018-05-01
申請公布號 CN104697636B 申請公布日 2018-05-01
分類號 G01J5/00;G01J5/08 分類 測量；測試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴(yán)冬;王林梓;劉健鵬;焦宏達 申請（專利權(quán)）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜生長反應(yīng)腔室設(shè)備實時測溫系統(tǒng)自校準(zhǔn)裝置，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包括實際熱輻射比值獲取單元和校準(zhǔn)系數(shù)計算單元，實際熱輻射比值獲取單元用于獲取實際熱輻射比值；校準(zhǔn)系數(shù)計算單元根據(jù)實際熱輻射比值，在理論熱輻射比值?溫度曲線上與實際熱輻射比值對應(yīng)的點，并將該點對應(yīng)的溫度T的值代入公式，分別得到校準(zhǔn)系數(shù)m1和m2。該裝置能夠得到雙波長測溫結(jié)構(gòu)中第一種波長λ1和第二種波長λ2分別對應(yīng)的校準(zhǔn)系數(shù)m1和m2，從而實現(xiàn)了薄膜生長反應(yīng)腔室設(shè)備實時測溫系統(tǒng)自校準(zhǔn)，能夠保證外延片生長溫度測量一致而又精確。