一種在高溫條件下工作的電離室

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911362906.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111103618B 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111103618B 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) G01T3/00（2006.01）I;G01T3/02（2006.01）I;G21C17/00（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 陸雙桐;李彪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中核控制系統(tǒng)工程有限公司
代理機(jī)構(gòu) 核工業(yè)專利中心 代理人 張雅丁
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)宏達(dá)南路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電離室輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在高溫條件下工作的電離室。包括主體外殼、芯子組件、上絕緣陶瓷、保護(hù)環(huán)、減震彈簧、底座、頂蓋組件、連接筒、電纜連接盤基座組件、無機(jī)鎧裝電纜組件、電纜接插件、鎳絲。本發(fā)明采用的平板型電離室相對(duì)于圓柱形結(jié)構(gòu)的電離室其探測(cè)表面積增大，其中子探測(cè)靈敏度相應(yīng)提高，實(shí)測(cè)相同靈敏區(qū)長(zhǎng)度的本產(chǎn)品與同軸圓柱形結(jié)構(gòu)產(chǎn)品僅涂硼的情況下的中子靈敏度提高約1倍，具有非常好的坪特性及測(cè)量上限。