一種干膜抗蝕劑層壓體、樹脂組合物及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111410315.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114114842A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請公布號 | CN114114842A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
分類號 | G03F7/09(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I;G03F7/027(2006.01)I | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 朱薛妍;黃磊;李偉杰;鮑亞童;張浙南 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州福斯特電子材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 浙江千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邵捷 |
地址 | 311300浙江省杭州市臨安市錦北街道福斯特街8號1幢212 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種干膜抗蝕劑層壓體及其制備方法,所述層壓體包括支撐層、支撐層上方的抗蝕劑層和抗蝕劑層上方的保護(hù)層,所述抗蝕劑層具有朝向所述保護(hù)層的第一面以及與所述第一面相對的第二面;所述抗蝕劑層為預(yù)交聯(lián)抗蝕劑層,所述第一面的預(yù)交聯(lián)度小于所述第二面的預(yù)交聯(lián)度。本發(fā)明所述的干膜抗蝕劑層壓體兼具良好的追隨性和儲存性,在層壓過程中能夠充分地填補(bǔ)基板上的凹坑,同時(shí)能夠在一定程度上防止溢膠,提高儲存穩(wěn)定性;所述的干膜抗蝕劑層壓體可應(yīng)用于印刷電路板、引線框架、太陽能電池、導(dǎo)體封裝、BGA(Ball Grid Array)封裝、CSP(Chip Size Package)封裝等領(lǐng)域,具有良好的應(yīng)用前景。 |
