一種干膜抗蝕劑層壓體及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111463400.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114355728A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號 CN114355728A 申請公布日 2022-04-15
分類號 G03F7/09（2006.01）I;G03F7/11（2006.01）I;G03F7/033（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 韓傳龍;李偉杰;張浙南;朱薛妍;陳濤;黃磊 申請（專利權(quán)）人 杭州福斯特電子材料有限公司
代理機構(gòu) 浙江千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 任婷婷
地址 311300浙江省杭州市臨安市錦北街道福斯特街8號1幢212
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種干膜抗蝕劑層壓體及其制備方法和應用，所述干膜抗蝕劑層壓體包括支撐膜、保護膜以及設于支撐膜與保護膜之間的抗蝕劑膜，所述抗蝕劑膜由感光性樹脂組合物涂布在所述支撐膜表面經(jīng)干燥后形成，且所述支撐膜與抗蝕劑膜剝離強度為3.0?17.0 N/m，支撐膜達因值為35?45 mN/m。本發(fā)明通過控制抗蝕劑膜中的溶劑殘存量以及支撐膜達因值，從而控制支撐膜與抗蝕劑膜剝離強度，使得最終得到的干膜抗蝕劑層壓體中的支撐膜與抗蝕劑膜剝離強度適中，能夠保證在貼膜過程中支撐膜和抗蝕劑膜無剝離，顯影過程中支撐膜與抗蝕劑膜易剝離的特點。