一種等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210533994.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103866394B 公開（公告）日 2016-08-17
申請公布號 CN103866394B 申請公布日 2016-08-17
分類號 C30B31/22(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙麗莉;鄒志超;竇偉;李超波 申請（專利權）人 江蘇中科九微科技有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 中國科學院微電子研究所;中科九微科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)，包括：離子注入腔室、進氣口、出氣口、基片臺、射頻電源、脈沖電源；其中，所述等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)還包括：注入源，所述注入源與所述進氣口連接，用于給所述離子注入腔室注入金屬氣體源；加熱裝置，所述加熱裝置與所述注入源連接，所述加熱裝置用于將所述注入源中的單質(zhì)金屬氣化，本發(fā)明通過利用金屬或者金屬氧化物在不同溫度下的飽和蒸汽壓不同的特性，將注入源中的單質(zhì)金屬氣化成單質(zhì)金屬氣體，進而實現(xiàn)了有效產(chǎn)生金屬等離子體，具有離子注入品質(zhì)高的技術效果。