一種等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210533994.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103866394A 公開（公告）日 2014-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN103866394A 申請(qǐng)公布日 2014-06-18
分類號(hào) C30B31/22(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙麗莉;鄒志超;竇偉;李超波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科九微科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 中國科學(xué)院微電子研究所;中科九微科技有限公司
地址 226001 江蘇省南通市高新區(qū)鐘秀路南側(cè)、雙福路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)，包括：離子注入腔室、進(jìn)氣口、出氣口、基片臺(tái)、射頻電源、脈沖電源；其中，所述等離子體浸沒離子注入系統(tǒng)還包括：注入源，所述注入源與所述進(jìn)氣口連接，用于給所述離子注入腔室注入金屬氣體源；加熱裝置，所述加熱裝置與所述注入源連接，所述加熱裝置用于將所述注入源中的單質(zhì)金屬氣化，本發(fā)明通過利用金屬或者金屬氧化物在不同溫度下的飽和蒸汽壓不同的特性，將注入源中的單質(zhì)金屬氣化成單質(zhì)金屬氣體，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了有效產(chǎn)生金屬等離子體，具有離子注入品質(zhì)高的技術(shù)效果。