一種低熔點(diǎn)金屬或合金輔助重稀土元素晶界擴(kuò)散的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011521783.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112712990A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN112712990A 申請(qǐng)公布日 2021-04-27
分類號(hào) H01F41/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李家節(jié);李飛飛;屈鵬鵬;何磊;仲潔;王磊;楊斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 國(guó)瑞科創(chuàng)稀土功能材料（贛州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉洪勛
地址 341000 江西省贛州市章貢區(qū)客家大道156號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低熔點(diǎn)金屬或合金輔助重稀土元素晶界擴(kuò)散的方法，其特征在于：通過(guò)固相、液相、氣相包覆的方法使重稀土金屬粉末表面包覆一層低熔點(diǎn)金屬/合金粉末，或者使低熔點(diǎn)金屬/合金粉末表面包覆一層重稀土粉末，形成具有表面改性的異質(zhì)核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合粉作為擴(kuò)散源。通過(guò)晶界擴(kuò)散技術(shù)制備高性能釹鐵硼永磁材料，能夠在減少重稀土用量的同時(shí)，大幅度提高稀土永磁體的內(nèi)稟矯頑力。