基于高k電介質(zhì)材料的薄膜電容的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810774072.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108998771A 公開（公告）日 2018-12-14
申請公布號 CN108998771A 申請公布日 2018-12-14
分類號 C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;B82Y30/00;H01G4/008;H01G4/10;H01G4/33 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐玉樂 申請（專利權(quán)）人 廈門市誠安毅科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市思明區(qū)前埔二里39號605室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于高k電介質(zhì)材料的薄膜電容的制備方法。包括以下步驟：采用蒸發(fā)鍍膜制備薄膜電容底部納米鋁層薄膜，形成底部導(dǎo)電層；利用反應(yīng)濺射沉積SiOxNy薄膜層，再通過射頻磁控濺射沉積TiO2層，制備高k TiO2/SiOxNy中間絕緣層TiO2薄膜，形成中間介電層；制備頂部納米鋁層薄膜，形成頂部導(dǎo)電層；最后，通過退火處理，即可制得高k電介質(zhì)基薄膜電容。本發(fā)明的高k電介質(zhì)基薄膜電容制備過程簡單，成本低廉，且無需特定的模板；中間介電層k值的大小可通過沉積工藝進(jìn)行調(diào)控，薄膜電容頻率特性與介電性能優(yōu)良，穩(wěn)定性高，且一致性好，可適用于高頻率段。