低壓大電流正激拓?fù)渫秸黩?qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021566186.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213213346U 公開(kāi)（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN213213346U 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類號(hào) H02M7/217;H02M3/335;H02M3/155;H02M1/14;G09G3/32 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 張克旺 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞市奧源電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳華奇信諾專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 范亮
地址 523000 廣東省東莞市長(zhǎng)安鎮(zhèn)振安科技工業(yè)園A7棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種低壓大電流正激拓?fù)渫秸黩?qū)動(dòng)電路。包括變壓器T1及設(shè)置于變壓器T1的繞組N1，還包括三極管組U5A和二極管組U4，該三極管組U5A設(shè)置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，該二極管組U4設(shè)置有接口7、接口8、接口9和接口10。為改善目前低壓大電流正激同步整流變壓器副邊繞組自驅(qū)方案因整流管和續(xù)流管之間死區(qū)時(shí)間短，使續(xù)流MOS管導(dǎo)通不足造成MOS管較大的損耗，出現(xiàn)效率低溫度高的現(xiàn)象。在正激自驅(qū)同步整流方案中增加驅(qū)動(dòng)控制線路，增加正激同步整流（整流管及續(xù)流管的死區(qū)時(shí)間）使續(xù)流MOS管在工作過(guò)程中完全導(dǎo)通，降低MOS管的損耗，提升效率。