一種TFT?LCD制造工藝中的雙面刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610757778.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106292031A 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN106292031A 申請公布日 2017-01-04
分類號 G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 分類 光學;
發(fā)明人 洪朝滿 申請（專利權(quán)）人 紅河凱立特科技集團有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 史明罡
地址 661100 云南省紅河哈尼族彝族自治州紅河州蒙自市紅河綜合保稅區(qū)圍網(wǎng)內(nèi)增值加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種TFT?LCD制造工藝中的雙面刻蝕方法。本發(fā)明方法包括如下步驟：(1)在基片兩側(cè)的面板上分別制備功能電極層；(2)在步驟(1)所制備的功能電極層上分別制備所需形狀的抗蝕劑層；(3)將步驟(2)所得基片兩側(cè)的功能電極層同時進行刻蝕處理；(4)將步驟(3)所得刻蝕后的基片上的所需形狀的抗蝕劑層去除，得到兩側(cè)分別具有所需形狀功能電極的基片。本發(fā)明方法工藝簡單，通過將基片兩側(cè)的功能電極層同時進行刻蝕處理，得到所需形狀的功能電極，免去了傳統(tǒng)工藝中對基片兩側(cè)的功能電極層需分別進行一次刻蝕及后續(xù)工藝的繁瑣步驟，極大地節(jié)省了基片兩側(cè)都具有功能電極的TFT?LCD的生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率。