一種石墨烯的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310233173.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103311104A 公開（公告）日 2013-09-18
申請公布號 CN103311104A 申請公布日 2013-09-18
分類號 H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 諸葛蘭劍;金成剛;余濤;徐軼君;楊燕;黃天源;吳明智;吳雪梅;葉超 申請（專利權(quán)）人 山東安固強石墨烯科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州大學(xué);山東安固強石墨烯科技有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)仁愛路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種石墨烯的制備方法，包括如下步驟：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感應(yīng)耦合增強雙頻激發(fā)容性耦合等離子體源來刻蝕上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蝕完成后，冷卻，取出碳化硅基片，經(jīng)低溫退火，得到以碳化硅為襯底的石墨烯。本發(fā)明開發(fā)了一種新的石墨烯的制備方法，利用氟等離子體去除碳化硅表面硅原子并產(chǎn)生易揮發(fā)反應(yīng)物質(zhì)的性質(zhì)制備石墨烯材料，所制備的石墨烯材料無需剝離，而是以廣泛應(yīng)用于電子學(xué)的寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅為絕緣襯底，與當(dāng)前的與半導(dǎo)體工藝完全兼容。