一種釹鐵硼磁體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010974691.0 申請日 -
公開(公告)號 CN113270241A 公開(公告)日 2021-08-17
申請公布號 CN113270241A 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周頭軍;劉仁輝;潘為茂;鐘震晨;黎綿付 申請(專利權(quán))人 虔東稀土集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 341000江西省贛州市紅旗大道86號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種釹鐵硼磁體及其制備方法,所述釹鐵硼磁體表層的釹鐵硼晶粒具有Dy?Tb雙層核殼結(jié)構(gòu)釹鐵硼。采用將含有Dy核殼結(jié)構(gòu)的基體置于含Tb物質(zhì)內(nèi)加熱擴(kuò)散使Tb擴(kuò)散進(jìn)入磁體表面的方法得到表層的釹鐵硼晶粒具有Dy?Tb雙層核殼結(jié)構(gòu)的燒結(jié)釹鐵硼磁體。本發(fā)明制備的釹鐵硼磁體添加的中重稀土Dy、Tb數(shù)量少,具有矯頑力和最大磁能積高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良磁性能。