射頻開關(guān)電路、芯片及通信終端

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080002569.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113544974A 公開（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113544974A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H03K17/687（2006.01）I;H03K17/041（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李艷偉;林升 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 唯捷創(chuàng)芯（天津）電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京汲智翼成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳曦
地址 300457天津市濱海新區(qū)信環(huán)西路19號(hào)2號(hào)樓2701-3室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種射頻開關(guān)電路、芯片及通信終端。該射頻開關(guān)電路通過(guò)在第一端口和第二端口之間設(shè)置至少一個(gè)開關(guān)單元形成的開關(guān)鏈路，將每個(gè)開關(guān)單元分別連接第一偏置電路和第二偏置電路，并進(jìn)一步調(diào)整各開關(guān)單元的MOS晶體管之間的寄生電容和第三電容的比值、各開關(guān)單元的MOS晶體管的尺寸以及和第三電容的比值，可以改善開關(guān)鏈路上電壓分布的均勻性，提高射頻開關(guān)電路的整體耐壓能力，減小諧波的發(fā)生。