一種應(yīng)用于燒結(jié)爐溫控系統(tǒng)的靜電保護(hù)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010171037.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111370402A 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN111370402A 申請公布日 2020-07-03
分類號 H01L27/02 分類 -
發(fā)明人 汪龍;熊擁軍;張忠義;肖迅達(dá) 申請（專利權(quán)）人 湖南博科瑞新材料有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙朕揚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湖南博科瑞新材料有限責(zé)任公司
地址 410000 湖南省長沙市岳麓區(qū)雷鋒大道346號博云工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于燒結(jié)爐溫控系統(tǒng)的靜電保護(hù)器件，器件包括P?SUB區(qū)、BN+區(qū)、HV?NWell區(qū)、第一P?Well區(qū)、N?Well區(qū)、第二P?Well區(qū)、第一P+注入?yún)^(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)、第二P+注入?yún)^(qū)、第三P+注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)、第四P+注入?yún)^(qū)、第一場氧隔離區(qū)、第二場氧隔離區(qū)、第三場氧隔離區(qū)、第四場氧隔離區(qū)、第五場氧隔離區(qū)、第六場氧隔離區(qū)、第七場氧隔離區(qū)、第一多晶硅虛設(shè)柵和第二多晶硅虛設(shè)柵。本發(fā)明的器件能夠承受足夠高強(qiáng)度的靜電應(yīng)力，而不會發(fā)生表面熱擊穿現(xiàn)象，并且可以抑制器件的表面通路，避免電流集邊現(xiàn)象的發(fā)生。