一種利用氨熱法生產(chǎn)氮化鎵晶體的生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010773368.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112095140B 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN112095140B 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B7/10（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 周德金;吳超;徐宏;黃偉;閆大為;于理科;鐘磊 申請（專利權(quán)）人 清華大學無錫應用技術(shù)研究院
代理機構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 214062江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用氨熱法生產(chǎn)氮化鎵晶體的生長裝置，驅(qū)動裝置內(nèi)腔的內(nèi)壁固定設置有隔板，隔板的表面固定設置有加熱層，反應罐內(nèi)腔的內(nèi)壁固定設置有驅(qū)動裝置，通孔的內(nèi)腔固定設置有夾持機構(gòu)，坩堝的表面固定開設有連接口，進液閥的一端貫穿反應罐、隔板和滑軌的表面，并與連接口活動連接，本發(fā)明涉及氮化鎵生長技術(shù)領(lǐng)域，該利用氨熱法生產(chǎn)氮化鎵晶體的生長裝置，解決了無法進行多個氮化鎵晶體來進行共同的生長，無法對氮化鎵晶體在坩堝內(nèi)腔的溶液中進行位置的調(diào)整，不能保證晶種模版一直處在最佳的生長環(huán)境，不利于提高氮化鎵晶體生長效率和生長質(zhì)量，無法對坩堝進行清理和對大小不同的晶體進行夾持的問題。