一種碳化硅涂層沉積爐流體場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911375207.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110923675B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110923675B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C16/52（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 彭雨晴;信吉平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 清華大學(xué)無(wú)錫應(yīng)用技術(shù)研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫盛陽(yáng)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)建筑西路777號(hào)A3幢13樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅涂層沉積爐流體場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法，包括以下步驟：（1）將沉積爐的爐內(nèi)空間劃分成多個(gè)控制區(qū)域，并在各控制區(qū)域內(nèi)分別安裝流量傳感器；（2）采集各控制區(qū)域內(nèi)的流量傳感器檢測(cè)到的各控制區(qū)域的實(shí)際流量值并傳送給數(shù)字孿生設(shè)備；（3）計(jì)算出各控制區(qū)域的實(shí)際流量值與各控制區(qū)域的理論流量值之間的差值；（4）根據(jù)差值進(jìn)行流量補(bǔ)償。本發(fā)明利用數(shù)字孿生技術(shù)，對(duì)沉積爐內(nèi)空間分區(qū)域建造數(shù)字孿生模型，達(dá)到生產(chǎn)時(shí)，分區(qū)域?qū)崟r(shí)監(jiān)控沉積爐內(nèi)影響沉積的物質(zhì)的流量，通過(guò)對(duì)采集的實(shí)際流量與理論數(shù)據(jù)融合，得到誤差補(bǔ)償結(jié)果，以此進(jìn)行分區(qū)域流量補(bǔ)償，解決了沉積爐內(nèi)流量場(chǎng)分布均勻性差的問(wèn)題，獲得高質(zhì)量的碳化硅涂層。 |
