一種優(yōu)化的化學(xué)氣相沉積工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911375201.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111020536B | 公開(公告)日 | 2022-05-24 |
申請公布號 | CN111020536B | 申請公布日 | 2022-05-24 |
分類號 | C23C16/52(2006.01)I;G05D27/02(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 彭雨晴;信吉平 | 申請(專利權(quán))人 | 清華大學(xué)無錫應(yīng)用技術(shù)研究院 |
代理機構(gòu) | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 214000江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢13樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種優(yōu)化的化學(xué)氣相沉積工藝,包括以下步驟:(1)將沉積爐的爐內(nèi)空間劃分成多個控制空間;(2)采集各控制空間內(nèi)的實際溫度值和實際流量值;(3)計算出實際與理論的差值;(4)根據(jù)差值進(jìn)行溫度補償和流量補償。本發(fā)明利用數(shù)字孿生技術(shù),對沉積爐的內(nèi)腔分空間建造數(shù)字孿生模型,達(dá)到生產(chǎn)時,分空間實時監(jiān)控沉積爐內(nèi)溫度和影響沉積的物質(zhì)的流量,實現(xiàn)整個溫度場及流體場控制過程的可視化,通過對采集的實際溫度和影響沉積的物質(zhì)的實際流量與理論數(shù)據(jù)融合,得到誤差補償結(jié)果,以此分空間進(jìn)行溫度和流量補償,從而實現(xiàn)了保證沉積爐內(nèi)溫度場和流體場分布均勻。 |
