CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510450126.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105023958B 公開(kāi)（公告）日 2017-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN105023958B 申請(qǐng)公布日 2017-03-08
分類號(hào) H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國(guó)云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門(mén)神科太陽(yáng)能有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門(mén)市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園宏業(yè)樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制作方法，包括，襯底，覆蓋襯底表面的背電極層，覆蓋背電極層的光吸收層，覆蓋光吸收層的緩沖層，覆蓋緩沖層的透明導(dǎo)電層，以及覆蓋透明導(dǎo)電層的氮氧化鋁硅膜層或由氧化鋅硅膜層與氮氧化硅膜層交替組成的復(fù)合膜層。所述的氮氧化鋁硅膜層或復(fù)合膜層能夠有效阻擋外部的水分子進(jìn)入薄膜電池內(nèi)部，減小薄膜太陽(yáng)能電池效率下降的程度；同時(shí)又可起到減反射的作用，增加入射光到達(dá)電池的光吸收層，從而可增加薄膜電池的短路電流。