濺射靶材及用該濺射靶材制作的CIGS基薄膜太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510370003.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105047738B 公開（公告）日 2018-02-09
申請公布號 CN105047738B 申請公布日 2018-02-09
分類號 H01L31/0336;H01L31/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國云 申請（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園宏業(yè)樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種濺射靶材及用該濺射靶材制作的CIGS基薄膜太陽能電池，通過在硫化鋅材料中摻入一定量的B、Al、Ga、In元素來制作硫化鋅濺射靶材，并用該硫化鋅濺射靶來制作無鎘的薄膜太陽能電池，本發(fā)明的硫化鋅濺射靶材可使用DC濺射沉積或AC濺射沉積，可避免使用復(fù)雜的RF濺射設(shè)備沉積硫化鋅膜層，可降低薄膜電池的制造成本。