CIGS基薄膜太陽能電池光吸收層的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510710965.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105336800B 公開（公告）日 2017-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN105336800B 申請(qǐng)公布日 2017-03-29
分類號(hào) H01L31/032(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 張松亭;游學(xué)明
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S102A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種CIGS基薄膜太陽能電池光吸收層的制備方法。該方法包括提供基板，基板沉積有預(yù)制層。該方法進(jìn)一步包括：將惰性氣體、含硒物質(zhì)、含硫物質(zhì)引入加熱爐中，并將熱能轉(zhuǎn)移入爐內(nèi)，以將溫度從室溫升高到第一溫度，并在第一溫度停留一段時(shí)間；之后，將溫度從第一溫度升高到第二溫度，并在第二溫度停留一段時(shí)間；之后，將溫度從第二溫度升高到第三溫度，并在第三溫度停留一段時(shí)間；之后，將溫度從第三溫度降至第四溫度，并在第四溫度停留一段時(shí)間；之后，冷卻至室溫。本發(fā)明能夠使光吸收層獲得較大的晶粒，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的開路電壓和較高的填充因子。