CIGS基薄膜太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510381116.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105047737B 公開（公告）日 2017-04-19
申請公布號 CN105047737B 申請公布日 2017-04-19
分類號 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國云 申請（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園宏業(yè)樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種CIGS基薄膜太陽能電池的制備方法。該制備方法包括在p型光吸收層的表面沉積一層犧牲層，接著進行熱擴散，使犧牲層中的元素擴散進入p型光吸收層的表層區(qū)域，從而使光吸收層的表層區(qū)域由p型轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導體層。所述犧牲層含有Zn元素和Ga、Al中的至少一種元素，犧牲層還可含有M元素，所述M元素選自Mg、Ca中的至少一種；所述通過將犧牲層中的元素擴散進入光吸收層的表層區(qū)域，從而形成n型半導體層，使n型半導體層的電子親和能變小，使之與透明導電層的電子親和能更加匹配，可有效防止薄膜電池隧道電流泄漏，提高薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率。