一種CIGS基薄膜太陽能電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510362598.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105140320B 公開（公告）日 2017-06-23
申請公布號(hào) CN105140320B 申請公布日 2017-06-23
分類號(hào) H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;田宏波;鄧國云 申請（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 張松亭
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S102A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于形成CIGS基薄膜太陽能電池的方法，包括基板，在基板上沉積金屬背電極層，接著對金屬背電極層進(jìn)行P1刻劃，接著沉積一層MoSx(0<x≤2)或Mo(S1?xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜層，接著在其上形成光吸收層，在光吸收層上沉積緩沖層，在緩沖層上沉積透明導(dǎo)電窗口層。通過在形成光吸收層之前先沉積一層MoSx(0<x≤2)或Mo(S1?xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜層，可有效降低電池內(nèi)部的分流作用，提高電池的并聯(lián)電阻和填充因子。