一種提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310340263.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103400914B 公開（公告）日 2016-06-29
申請公布號 CN103400914B 申請公布日 2016-06-29
分類號 H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭麗彬;蔣利民;李剛 申請（專利權(quán)）人 江蘇華功半導體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 230012 安徽省合肥市新站區(qū)工業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，該外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為：襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、n型GaN層n1層、n型AlGaN層、n型GaN層n2層、n型GaN層LN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層。其中n型GaN層LN層的生長步驟包括：先生長n型GaN層nGaN3-1層，接著生長n型AlGaN層，最后再生長n型GaN層nGaN3-2層。本發(fā)明外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，能夠有效使得電流均勻擴展，提高外延層晶體質(zhì)量，提高器件性能。