一種復(fù)合襯底及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711063388.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107845569A 公開(kāi)（公告）日 2018-03-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN107845569A 申請(qǐng)公布日 2018-03-27
分類號(hào) H01L21/02;H01L27/12;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁智文;張曉榮;黃香魁;龔長(zhǎng)春;李瑤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司;華潤(rùn)微電子控股有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合襯底及其制備方法，其中所述復(fù)合襯底包括：襯底；以及位于所述襯底背面圖形化的應(yīng)力補(bǔ)償功能層；所述應(yīng)力補(bǔ)償功能層的等效熱膨脹系數(shù)大于所述襯底的熱膨脹系數(shù)和/或應(yīng)力補(bǔ)償功能層的等效晶格常數(shù)小于所述襯底的晶格常數(shù)。本發(fā)明的技術(shù)方案解決了在傳統(tǒng)襯底上，特別是在大尺寸襯底上外延生長(zhǎng)時(shí)，外延器件中應(yīng)力較大、容易發(fā)生變形而導(dǎo)致外延層均勻性差甚至龜裂的問(wèn)題。