一種原位MIS柵結(jié)構(gòu)常關(guān)型GaN基晶體管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711113639.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107706232A 公開（公告）日 2018-02-16
申請公布號 CN107706232A 申請公布日 2018-02-16
分類號 H01L29/06;H01L21/335;H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李瑤;張曉榮;黃香魁;梁智文 申請（專利權(quán)）人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公開了一種原位MIS柵結(jié)構(gòu)常關(guān)型GaN基晶體管及制備方法，具體涉及MIS界面的改進(jìn)方法，該器件包括襯底及襯底上的外延層、柵介質(zhì)層、源極、漏極、柵極。所述外延層包括應(yīng)力緩沖層、GaN層及AlGaN勢壘層，通過刻蝕形成凹槽柵結(jié)構(gòu)。其上選擇區(qū)域二次外延GaN層及SiN介質(zhì)層，形成原位生長的GaN/SiN界面。再沉積柵極金屬覆蓋于凹槽溝道柵介質(zhì)層上，柵極兩端覆蓋金屬形成源極和漏極。本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)和制備工藝簡單可靠，能形成高質(zhì)量的MIS柵界面，降低MIS柵界面的電子俘獲和散射效應(yīng)，從而提高器件的性能，尤其對溝道電阻的降低以及閾值電壓穩(wěn)定性問題的改善十分關(guān)鍵。