一種GaN基p型柵HFET器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711002525.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107680998A 公開（公告）日 2018-02-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN107680998A 申請(qǐng)公布日 2018-02-09
分類號(hào) H01L29/775;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔長(zhǎng)春;張曉榮;黃香魁;梁智文;李瑤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司;華潤(rùn)微電子控股有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基p型柵HFET器件及其制備方法，器件結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：硅襯底、AlN成核層、AlGaN緩沖層、GaN高阻層、GaN溝道層、AlN空間層、AlGaN勢(shì)壘層、p?GaN層、p+?GaN/n+?InGaN隧穿層。AlGaN勢(shì)壘層上形成源極和漏極，p+?GaN/n+?InGaN隧穿層上形成柵極，且柵極位于源和漏之間，源柵和源漏之間AlGaN勢(shì)壘層上生長(zhǎng)SiN層。本發(fā)明通過生長(zhǎng)p+?GaN/n+?InGaN隧穿層使源、柵、漏電極可以通過一次性蒸鍍同樣的電極材料實(shí)現(xiàn)器件電極的制備，簡(jiǎn)化器件工藝流程，提高器件性能。