一種厚膜高阻氮化物半導體外延結構及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310673040.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103633134B 公開（公告）日 2016-09-14
申請公布號 CN103633134B 申請公布日 2016-09-14
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉揚;倪毅強;賀致遠;周德秋;張佰君 申請（專利權）人 江蘇華功半導體有限公司
代理機構 廣州粵高專利商標代理有限公司 代理人 中山大學;江蘇華功半導體有限公司;華潤微電子控股有限公司
地址 510275 廣東省廣州市新港西路135號中山大學
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體材料外延生長領域，公開了一種厚膜高阻氮化物半導體外延結構及其生長方法。其外延結構由下至上依次包括襯底、成核層、應力緩沖層和氮化物材料層，氮化物材料層包括間隔布設的氮化物半導體材料層和基本氮化物復合夾層，氮化物半導體材料層位于應力緩沖層上方；基本氮化物復合夾層包括位于氮化物半導體材料層上方的第一氮化物夾層和位于第一氮化物夾層上方的第二氮化物夾層，第一氮化物夾層為p型，第二氮化物夾層為一層弛豫氮化物夾層，第二氮化物夾層包括鋁和鎵，并且氮化物材料層的總厚度至少2.0μm以上。本發(fā)明的半導體外延結構會在降低氮化物的位錯密度、提高氮化物晶體質量的同時，大幅度降低外延層材料漏電流、提高外延層材料的擊穿電壓。