一種低導(dǎo)通電阻MIS凹槽柵GaN基晶體管及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711003341.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107785435A 公開(kāi)（公告）日 2018-03-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN107785435A 申請(qǐng)公布日 2018-03-09
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉榮;黃香魁;龔長(zhǎng)春;梁智文;李瑤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公開(kāi)了一種低導(dǎo)通電阻MIS凹槽柵GaN基晶體管及制備方法,本發(fā)明主要通過(guò)調(diào)制凹柵處無(wú)2DEG區(qū)(即凹槽側(cè)壁)的柵長(zhǎng)來(lái)控制柵溝道電阻。該器件包括襯底及生長(zhǎng)在襯底上的外延層以及柵介質(zhì)層、源極、漏極、柵極。所述外延層包括一次外延生長(zhǎng)的應(yīng)力緩沖層、GaN外延層、AlN層、選擇區(qū)域生長(zhǎng)的二次外延層，并形成凹槽溝道。再沉積柵介質(zhì)層，形成源極和漏極及在柵介質(zhì)層上形成柵極。本發(fā)明可通過(guò)材料外延生長(zhǎng)方法精確控制凹柵處無(wú)2DEG區(qū)(即凹槽側(cè)壁)的柵長(zhǎng)，提高柵溝道電阻的均勻性，并形成高質(zhì)量的MIS柵界面，尤其對(duì)降低溝道電阻、提高閾值電壓穩(wěn)定性是十分關(guān)鍵的。