原位激光刻劃裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820129362.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208132211U 公開（公告）日 2018-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN208132211U 申請(qǐng)公布日 2018-11-23
分類號(hào) B23K26/362;B23K26/70;H01L31/18 分類 機(jī)床；不包含在其他類目中的金屬加工;
發(fā)明人 白雨成;全義九;李相文;張昌泳;丁鐘國(guó);邊娜恩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勝顯（上海）商貿(mào)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 勝顯（上海）商貿(mào)有限公司;株式會(huì)社SELCOS
地址 韓國(guó)京畿道華城市東灘面東灘工業(yè)園10路42
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種原位激光刻劃裝置，包括：為制備薄膜太陽(yáng)能電池，放置基板的真空腔；及設(shè)置在所述真空腔的外部，利用激光對(duì)所述真空腔內(nèi)放置的基板進(jìn)行刻劃的激光刻劃裝置。本實(shí)用新型提供的原位激光刻劃裝置在制造銅?銦?鎵?硒(Cu?In?Ga?Se)太陽(yáng)能電池單元時(shí)，對(duì)于電池單元制造工藝步驟中的P1(背電極：Mo)、P2(光吸收層：CIGS)、P3(透明導(dǎo)電膜：ZnO)工藝，從原來(lái)的從真空腔中移出到大氣狀態(tài)下進(jìn)行加工代替為保持在真空狀態(tài)下進(jìn)行加工，節(jié)約了流程，提高了生產(chǎn)效率；本實(shí)用新型的原位激光刻劃裝置簡(jiǎn)化了薄膜太陽(yáng)能電池制造工藝，縮短了制造時(shí)間。