一種硅片堿腐蝕工藝及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811393404.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111211049A 公開（公告）日 2020-05-29
申請公布號 CN111211049A 申請公布日 2020-05-29
分類號 H01L21/306;H01L31/0236;B81C1/00;H01M8/0258 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩洋;朱景兵 申請（專利權(quán)）人 上海尚理投資有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200020 上海市黃浦區(qū)皋蘭路27號底層東
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片堿腐蝕工藝及其應(yīng)用，采用可與水發(fā)生反應(yīng)且生成翻新堿的金屬氧化物,且翻新堿可與SiO32?發(fā)生反應(yīng)生成可采用分離方法去除的不溶于水的硅酸鹽，用于實現(xiàn)對堿性水溶液的翻新，通過翻新使得堿性水溶液的堿濃度維持不低于其預(yù)設(shè)最低值的狀態(tài)或延長其維持不低于堿濃度的預(yù)設(shè)最低值的時間；且同時通過翻新實現(xiàn)將堿性水溶液的SiO32?反應(yīng)轉(zhuǎn)換為不溶于水的硅酸鹽，使得SiO32?的濃度減少；本發(fā)明能夠明顯改善長時間處于強堿性溶液的操作環(huán)境、減少廢液的產(chǎn)生，進而顯著地降低了工藝的物料和環(huán)境成本、且明顯改善了工藝操作環(huán)境；同時可以明顯提升本發(fā)明硅片堿腐蝕的工藝質(zhì)量，而且可以有效減少產(chǎn)線的停機時間，提高生產(chǎn)能力和生產(chǎn)效率。