封裝結構的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910681742.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110718472B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN110718472B 申請公布日 2021-11-05
分類號 H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石磊 申請（專利權）人 南通通富微電子有限公司
代理機構 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 高德志
地址 226001江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園江成路1088號江成研發(fā)園內(nèi)3號樓1477室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種封裝結構的形成方法，在將若干半導體芯片的功能面粘合在載板上后，形成包覆半導體芯片的非功能面和側壁表面的第一屏蔽層，且所述第一屏蔽層的表面呈橢球狀；在每一個半導體芯片一側的載板上對應粘合所述無需屏蔽的電子元件；形成覆蓋第二屏蔽層、無需屏蔽的電子元件以及載板的塑封層；剝離所述載板，形成預封面板。形成的具有橢球狀表面的第一屏蔽層不僅第一屏蔽層本身能均勻和完整的覆蓋所述半導體芯片的非功能面和側壁表面，并且在第一屏蔽層的橢球狀表面形成第二屏蔽層時，第二屏蔽層不會出現(xiàn)厚度不均勻以及邊緣覆蓋不好的問題，從而使得第一屏蔽層和形成的第二屏蔽層兩者構成的整體屏蔽層是完整的，提高了屏蔽的效果。