一種具有埋層結(jié)構(gòu)的超勢壘整流器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110658323.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113299763A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299763A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝馳;王為;李銘;曾瀟;李澤宏 申請（專利權(quán)）人 貴州雅光電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 劉楠
地址 550081貴州省貴陽市高新區(qū)金陽園區(qū)都勻路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有埋層結(jié)構(gòu)的超勢壘整流器件，包括背面金屬層、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s源區(qū)、柵氧化層、多晶硅柵極、正面金屬層、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體埋層，本發(fā)明通過創(chuàng)造性設(shè)計正面金屬層結(jié)構(gòu)及其與之接觸的相關(guān)區(qū)域布置，在通過設(shè)置第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體埋層，使得本發(fā)明形成多道電流路徑分布，且由于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)設(shè)置，使得初始電流路徑的導(dǎo)通電壓更低，且穩(wěn)定性高，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，工藝制備相對容易，實用性強，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，工藝制備相對容易，實用性強。