一種帶副室結(jié)構(gòu)的泡生法晶體生長(zhǎng)爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110061052.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102677158A 公開(kāi)（公告）日 2012-09-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN102677158A 申請(qǐng)公布日 2012-09-19
分類號(hào) C30B17/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 廖永建;徐煒;沈禹;孫礦 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海晨安電爐制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201804 上海市嘉定區(qū)黃渡工業(yè)園區(qū)春濃路278號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種帶副室結(jié)構(gòu)的泡生法晶體生長(zhǎng)爐，屬于晶體生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所提供的泡生法晶體生長(zhǎng)爐在主室和提拉旋轉(zhuǎn)裝置間設(shè)置副室，通過(guò)真空閥門(mén)的切換，主室與副室可連通或成為獨(dú)立腔體，在副室內(nèi)可進(jìn)行籽晶安裝、二次加料等操作?？稍诰w生長(zhǎng)過(guò)程尤其是晶體生長(zhǎng)早期出現(xiàn)各種異常情況如籽晶碎裂、籽晶長(zhǎng)度不足、熔體表面有雜質(zhì)漂浮物、接種效果不良、初期晶體碎裂或其它不理想狀況時(shí)，在主室處于高溫狀態(tài)下即可進(jìn)行及時(shí)處理，無(wú)需像常規(guī)泡生法晶體生長(zhǎng)爐需要高溫停爐處理，不僅有效節(jié)省了時(shí)間和能耗，還有效避免了高溫反復(fù)沖擊對(duì)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)與坩堝的損傷，提高了熱場(chǎng)的穩(wěn)定性和重復(fù)性，大大節(jié)省了生產(chǎn)成本，有效地提高了成品率。