一種堆疊式集成電路芯片及其封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110197294.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113013113A 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN113013113A 申請公布日 2021-06-22
分類號 H01L23/31;H01L25/07;H01L23/49;H01L21/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃明樂 申請（專利權(quán)）人 合肥仙湖半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李佼佼
地址 230088 安徽省合肥市合肥高新技術(shù)開發(fā)區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園一期B2-709室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種堆疊式集成電路芯片及其封裝方法，本發(fā)明中：基板一側(cè)設(shè)有集電極；集電極引腳的兩側(cè)分別設(shè)有門極引腳和發(fā)射極引腳；第一芯片焊接固定在基板上表面；第一芯片的上表面焊接有金屬片；金屬片的一端與發(fā)射極引腳連接；金屬片的另一端與第一芯片頂部的引腳連接；第二芯片倒裝焊接在金屬片上表面上；頂層的上表面復(fù)合有一層頂部金屬層；底層的下表面復(fù)合有一層底部金屬層；第二芯片通過連接件與極板連接。本發(fā)明通過設(shè)置金屬片將第一芯片與基板進(jìn)行連接，然后將第二芯片倒裝焊接在金屬片上，通過金屬片將芯片工作的熱量快速導(dǎo)出，解決了芯片的散熱的問題的同時(shí)，封裝工藝簡單，并且有效減少了IGBT或功率半導(dǎo)體的封裝體積，降低封裝費(fèi)。