一種MOSFET電流檢測電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921939776.4 申請日 -
公開(公告)號 CN212749028U 公開(公告)日 2021-03-19
申請公布號 CN212749028U 申請公布日 2021-03-19
分類號 G01R19/00(2006.01)I;G01R19/32(2006.01)I 分類 測量;測試;
發(fā)明人 黃明樂;鄭春芳 申請(專利權(quán))人 合肥仙湖半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯捷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張利
地址 230000安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園一期B2-709室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種MOSFET電流檢測電路,包括功率開關(guān)管、檢測開關(guān)管、熱敏電阻、定值電阻和電壓檢測電路;功率開關(guān)管與檢測開關(guān)管同步開關(guān),功率開關(guān)管開通時,檢測電路電壓與功率開關(guān)管DS端電壓相對應(yīng),進(jìn)而得到功率開關(guān)管的電流,本實(shí)用新型的有益效果在于:熱敏電阻阻值變化與待檢測開關(guān)管導(dǎo)通電阻值隨溫度變化相應(yīng)變化,以抵消導(dǎo)通電阻值隨溫度變化對檢測電流的影響;通過選擇適當(dāng)溫度系數(shù)的熱敏電阻使得檢測電流不隨溫度的變化而變化,補(bǔ)償了待檢測開關(guān)管導(dǎo)通阻值的溫度特性,從而減小或消除溫度對測量精度的影響,該檢測電路具有檢測精度高,溫度特性好的優(yōu)點(diǎn)。??