一種可靠性改善型半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110258725.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113035933A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035933A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王海軍 申請（專利權(quán)）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 湯時達(dá)
地址 201100 上海市閔行區(qū)東川路555號乙樓一層1001室（集中登記地）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可靠性改善型半導(dǎo)體器件，包括中部為元胞區(qū)、邊緣為終端保護區(qū)和截止區(qū)的器件本體，器件本體包括表面具有絕緣介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底、設(shè)于絕緣介質(zhì)層上方的金屬互聯(lián)層及位于金屬互聯(lián)層上方且延伸至截止區(qū)的保護層，金屬互聯(lián)層通過器件本體表面的第一接觸孔與半導(dǎo)體襯底表面的基極或柵極連接，器件本體的截止區(qū)表面設(shè)有底端延伸至半導(dǎo)體襯底的第三接觸孔，第三接觸孔內(nèi)設(shè)有連接半導(dǎo)體襯底與金屬互聯(lián)層的漏電泄放金屬。本發(fā)明的可靠性改善型半導(dǎo)體器件具有漏電吸收功能，可靠性高、使用壽命長。