一種高性能的絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921553297.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210607266U 公開（公告）日 2020-05-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN210607266U 申請(qǐng)公布日 2020-05-22
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陽平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微電子科技有限公司
地址 201100 上海市閔行區(qū)紫星路588號(hào)2幢1169室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種高性能的絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底、柵氧化層、多晶硅柵極、發(fā)射極電極、JFET區(qū)本體、絕緣介質(zhì)層、N+發(fā)射區(qū)、P阱區(qū)、P+深阱區(qū)、漂移區(qū)、P型集電極區(qū)和集電極本體。本實(shí)用新型通過刻蝕工藝在JFET區(qū)本體的上方去除多晶硅柵極，使得器件承受反向耐壓時(shí)JFET區(qū)本體的表面電場大為減少，增強(qiáng)了P阱區(qū)對(duì)JFET區(qū)本體的耐壓保護(hù)作用，增大了器件的擊穿電壓，JFET區(qū)本體上方?jīng)]有多晶硅柵極，在器件承受反向擊穿電壓時(shí)，JFET區(qū)本體的表面電場強(qiáng)度降低，解決了JFET區(qū)表面的電場峰值增大，造成器件的擊穿電壓較低，以及柵源電容和柵漏電容較大，器件開通和關(guān)斷損耗較大的問題。